随着层数的增加,次配存招带隙显著减小,因为块体黑磷带隙仅为0.3eV。资协图5总结了几种二维材料的光电探测器性能和优点。二维材料,议库包括石墨烯、议库过渡金属硫属化物,具有跨越该波长范围的带隙,从近红外(NIR)到中红外(MIR)和远红外(FIR),即1~10µm,这使它们成为红外探测器等新兴的候选材料。
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[8]电场:网山网物理论预测电子门控(面外电场)的应用可以控制硅烯和锗烯的能带结构,不像石墨烯,它不受外部垂直电场的影响。
然而,次配存招应用涉及红外光探测,即低于Si(1.1eV)的带隙,这依赖于更奇异的半导体,如InGaAs或HgCdTe。可老鼠还故意交叉跑,资协把狗搞得晕头转向,撞到了门上。
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